摘要
本文將簡單介紹超音波成像系統,並詳細分析超音波電源管理設計中的一些挑戰和解決方案。文中討論四個主要的設計考慮因素:系統雜訊電平、開關雜訊、電磁干擾(EMI)以及與電源相關的超音波散熱。本文還將解釋Silent Switcher ® μModule® 模組和低雜訊LDO技術如何幫助解決最常見的問題,並改善系統雜訊和圖像品質。
簡介
在GE奇異公司在2000年推出第一台數位超音波後,促使超音波市場迅速發展。該技術已經從靜態轉向動態,從黑白轉向彩色多普勒。越來越多的超音波應用,對元件的要求也提高,例如與探頭、AFE 和電源系統相關的元件。
在醫療診斷領域,越來越多應用需要超音波成像系統提供更高的圖像品質。提高圖像品質的關鍵技術之一,是提高系統的信噪比(SNR)。下面將討論影響雜訊的不同因素,尤其是電源。
超音波的工作原理
超音波系統由換能器、發射電路、接收電路、後端數位處理電路、控制電路、顯示模組等組成。數位處理模組通常包括現場可編程門陣列(FPGA),根據系統的配置和控制參數生成發射波束成形器和相應的波形圖案。然後,發射電路的驅動器和高壓電路產生高壓信號來激勵超音波換能器。超音波換能器通常由PZT陶瓷製成。它將電壓信號轉換為超音波進入人體,同時接收人體組織產生的回波。回波被轉換為小電壓信號,並傳遞到發射/接收(T/R)開關。T/R開關的主要目的是防止高壓發射訊號損壞低壓接收類比前端。經過訊號調理、放大和濾波後,類比電壓訊號被傳遞到AFE的集成ADC,然後轉換為數位數據。數位數據通過JESD204B或LVDS介面傳輸到FPGA進行接收波束成形,然後傳輸到後端數位部分進行進一步處理以創建超音波圖像。
電源如何影響超音波系統
從上述超音波架構來看,系統雜訊會受到許多因素的影響,例如發射訊號鏈、接收訊號鏈、TGC增益控制、時鐘和電源。在本文中,我們將討論電源如何影響雜訊。
超音波系統中有不同種類的圖像模式,每種圖像模式對動態範圍都有不同的要求。這也意味著SNR或雜訊要求取決於不同的圖像模式。黑白模式需要 70 dB 動態範圍,脈衝波都卜勒 (PWD) 模式需要 130 dB,連續波多都卜勒(CWD) 模式需要 160 dB。本底雜訊在黑白模式相當重要,它會影響在遠場中可以看到的最小超音波回波的最大深度(也就是穿透性),這是黑白模式的關鍵特徵之一。1/f雜訊對於PWD和CWD模式尤為重要。PWD和CWD圖像都包括1 kHz以下的低頻譜,相位雜訊會影響高於1 kHz的都卜勒頻譜。由於超音波換能器頻率通常在1 MHz至15 MHz之間,因此在該範圍內任何開關頻率雜訊都會對其產生影響。如果PWD和CWD頻譜(從100 Hz到200 kHz)中存在互調頻率,則都卜勒圖像中會出現明顯的雜訊頻譜,這在超音波系統中是不可接受的。
另一方面,良好的電源可以透過考慮相同的因素來改善超音波圖像。設計人員在為超音波應用設計電源時,應瞭解幾個因素。
開關頻率
如前所述,有必要避免將意外的諧波頻率引入採樣頻段(200 Hz至100 kHz)。在電源系統中很容易發現這種雜訊。
大多數開關穩壓器使用電阻器來設置開關頻率。該電阻的誤差會在PCB上引入不同的開關標稱頻率和諧波。例如,在400 kHz DC-DC穩壓器中,1%精度電阻提供±1%誤差和4 kHz諧波頻率。更好的解決方案是選擇具有同步功能的電源切換開關。外部時脈將通過SYNC引腳向所有穩壓器發送信號,以使所有穩壓器以切換到相同頻率和相同相位下運作。
此外,出於EMI考慮或更高的瞬態回應,一些穩壓器具有20%的可變開關頻率,這將導致400 kHz電源中產生0 kHz至80 kHz諧波頻率。恆定頻率的開關穩壓器有助於解決此問題。ADI公司的Silent Switcher穩壓器和μModule穩壓器系列具有恆定頻率開關功能,同時在不開啟擴頻的情況下,仍可保持出色的EMI性能,及出色的瞬態回應。
白噪音
超音波系統中也有許多白噪音源,這會導致超音波成像中的背景雜訊。這種雜訊主要來自訊號鏈、時鐘和電源。
在模擬處理元件的模擬電源引腳上增加LDO穩壓器現在很常見。ADI公司的次世代LDO穩壓器具有約1 μV rms超低雜訊,覆蓋200 mA至3 A電流。電路和規格如圖2和圖3所示。
圖2. 次世代低雜訊LDO穩壓器
圖3. 次世代LT3045的低雜訊頻譜密度
PCB佈局
在超音波系統中設計數據採集板時,通常需要考慮到高功率電源部件和高度敏感訊號鏈部件之間的權衡。開關電源產生的雜訊很容易耦合到訊號路徑走線中,而且很難透過數據處理消除。開關雜訊通常由開關輸入電容(圖4)和上側或下側開關產生的熱迴路產生。添加緩衝電路可以幫助管理電磁輻射;但是,它同時也會降低效率。即使在高開關頻率下,Silent Switcher電源架構有助於提升EMI性能,並保持高效率。
手持式數位探頭
除了因吸收超音波而產生熱能以外,換能器本身的溫度對換能器附近組織的溫度影響很大。透過向換能器施加電訊號,可生成超聲波脈衝。一些電能在元件、鏡頭和基底材料中耗散,導致換能器發熱。在換能器頭中對接收到的信號進行電子處理也可能導致電加熱。來自換能器面的熱量傳導會導致淺表組織中的溫升幾攝氏度。IEC標準60601-2-37(2007版)中規定了最大容許的探頭表面溫度(TSURF,IEC 60601-2-37 Rev 2007).當換能器傳輸到空氣中時為50°C,當傳輸到合適的模型時為43°C。後一個限制意味著皮膚溫度(通常在33°C)可以升高10°C。 換能器加熱是複雜換能器的一個重要設計考慮因素,在某些情況下,這些溫度限制可能會有效地約束可以達到的聲學輸出。
當換能器在空氣中運作時,安全標準(IEC 60601-2-37 Rev 2007)將換能器表面的溫度限制到50°C以下,在33°C(對於外部應用的換能器)或37°C(對於內部換能器)下與假體接觸時,溫度限制在43°C以下。通常正是這些溫度限制(而不是對光束中最大強度的限制)限制了換能器的聲學輸出。Silent Switcher設備將功率(開關頻寬高達3 MHz)轉換為數位探頭的不同電壓域效率最高。這意味著,功率轉換期間的功率損耗很低。這有助於冷卻系統,因為沒有太多額外的熱量損耗。
Silent Switcher模式大有幫助
Silent Switcher μModule穩壓器技術是超音波電源軌設計的明智選擇。引入它是為了幫助改善EMI和開關頻率雜訊。傳統上,我們應該關注每個開關穩壓器的熱回路上的電路和布局設計。對於降壓轉換器,如圖4所示,熱迴路包含一個輸入電容、一個頂部MOSFET、一個底部MOSFET和由布線、路由、邊界等引起的寄生電感。
Silent Switcher 模組提供兩種主要設計方法:
首先,如圖4和圖5所示,透過創建一個反向的熱迴路,大部分EMI將因雙向輻射而被抵銷。這種方法將優化輻射近 20 dB。
圖4. 拆分熱迴路的原理圖
圖5. 比較Silent Switcher與無Silent Switcher的EMI性能
第二,如圖6所示,Silent Switcher模組不是直接在晶圓周圍綁定接線,而是採用銅柱倒裝晶元封裝,有助於減少寄生電感,優化尖峰和死區時間。
圖6.與傳統綁定技術(LT8610)相比較的銅柱倒裝晶元封裝及其性能(LT8614)。
此外,如圖7所示,Silent Switcher技術提供高功率密度設計,並且能夠在小封裝中實現大電流能力,從而保持低θ JA,實現高效率(例如, LTM4638 能夠在6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm封裝中實現15 A)。
圖7. Silent Switcher電源模組封裝內視圖。
表1. Silent Switcher 產品概覽
低頻雜訊 | 開關雜訊諧波 | 高散熱性能 | |
架構 | Silent Switcher 3設備中的超低雜訊基準 | Silent Switcher技術與銅柱封裝 | 封裝中的Silent Switcher技術與散熱器 |
特性 | 在低雜訊方面,性能與LDO穩壓器相同 | 低EMI,低開關雜訊 快速開關頻率,短死區 |
高功率密度 更小的熱阻 |
應用中的優勢 | 不再需要後製LDO穩壓器, 同時維持相同的圖像品質 |
高頻率與高效率 更高的頻率,更小的濾波器尺寸 |
對於相同電流電平 最大幅度縮小降幅 |
表2. 採用Silent Switcher技術的熱門超低雜訊電源解決方案
開關頻率 | 控制模式 | 開關抖動 | 功率級架構 | EMI | 有效值雜訊 | |
LTM8053-1 | 200 kHz 至 3 MHz | 固定頻率峰值電流 | 小 | Silent Switcher 2模組 | 超低 | 0.8 μV rms(帶有 LT3045) |
LTM8060 | 200 kHz 至 3 MHz | 固定頻率峰值電流 | 小 | Silent Switcher 2模組 | 超低 | 0.8 μV rms(帶有LT3045) |
LT8625S | 300 kHz 至 4 MHz | 固定頻率峰值電流 | 小 | Silent Switcher 3變換器 | 超低 | 4 μV rms(不帶LT3045) |
此外,許多Silent Switcher μModule穩壓器也具有固定頻率、寬頻率範圍和峰值電流架構,從而實現低抖動和快速瞬態回應。 該產品系列中的熱門產品參見表2。
結論
ADI的Silent Switcher電源μModule穩壓器模組和LDO產品為超音波電源軌設計提供了完整的解決方案,盡可能減少了系統雜訊電平和開關雜訊。 這有助於改善圖像品質,而且有助於限制溫度升高,並簡化PCB布局設計複雜性。
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