多樣化電源策略 齊進低碳大未來
高新科技的突破發展與放大應用，無不需要高效能源電力為後盾，
讓SiC、GaN發展動態備受重視，在高功率市場逐步取代Si基元件。
依據OMDIA報告，寬能隙半導體產值，2021~2025的年複合成長率達43.7%，
為半導體市場中成長最迅速的領域…
市場研究公司Yole稱，到2027年底，GaN和SiC元件將佔功率半導體市場的30%，
並進而取代矽MOSFET和IGBT…
回顧這場技術迭代史，
2018年Tesla率先整合SiC元件到Model 3車款，自此掀起SiC狂潮；
5G毫米波規格底定，讓具備超高頻開關的GaN進入市場目光；
近期暴發的HPC與AI伺服器熱潮，則讓PSU也吹起WBG風…。
然而寬能隙半導體的發展也絕非一帆風順，
如年初Tesla喊出減少75%的SiC需求，便讓Si基IGBT重回鎂光燈焦點…
面對市場與技術的考驗，與低碳化的未來趨勢，
電力電子在新材料、新技術與新設計的組合變化下，
將帶來怎樣的競逐與混搭策略? 又將扮演怎樣的關鍵性角色?
把握名額與截止日，立即報名 ► https://reurl.cc/dDQ3XD
參加辦法
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配合室內口罩鬆綁政策，您可自主決定是否配戴口罩；如有任何健康考量，亦歡迎全程配戴。
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本活動報名截止日7月21日(五)。主辦單位將視報名狀況提前或延後線上報名時間。若報名者不克參加，可指派其他人選參加並通知主辦單位。
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本活動採預先線上報名並完成登錄手續，不開放現場報名，請勿偽造他人身份資料進行報名以免觸犯法律，主辦單位保留報名資格之最後審核權利。
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本活動將由主辦單位進行出席資格審核，與主題及屬性符合者為優先考量。
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通過審核者，系統將於活動前一天以電子郵件方式寄發含有報到編號/QR Code的「報到通知」至您的電子信箱，以示您的出席資格；未通過審核者，亦會收到一封婉拒通知信。若您未收到任何通知信件，請上網站查詢。
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活動當日，請攜帶含有報到編號/QR Code的「報到通知」至活動現場完成報到手續。
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為落實防疫規範與人流管制，主辦單位將依各場地狀況進行分廳(區)，並以報到的先後次序選擇廳(區)別，人數額滿即止，敬請配合安排。
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本次活動若適逢天災(地震、颱風等)不可抗拒之因素，將延期舉辦時間另行通知。
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若因不可預測之突發因素，主辦單位得保留研討會課程及講師之變更權利。
會場位置
台北華南銀行會議中心
台北市信義區松仁路123號
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